Módulo IGBT Infineon fz2400r17kf4

Módulo IGBT Infineon fz2400r17kf4

Beijing Jingcheng Hongtai Technology co., Ltd. vende módulos IGBT de infineon; Módulo de silicio controlable; Módulo de puente de rectificación; Módulo de diodos; Tirón; Silicio controlable, condensadores, fuentes de alimentación, ventiladores, sensores, módulos ipm; Módulo de potencia de semiconductores; Accesorios de inversor, placa de accionamiento, placa de control, placa cuvc

Módulo IGBT del inversor Siemens fz2400r17kf4

Parámetros del producto:

El módulo IGBT de un solo interruptor ihm B 1700 V 2400a 190 mm, equipado con una rejilla de ranura de cuarta generación / IGBT de terminación de campo,

IHV B 3300 V1000 a 130 mm interruptor únicoMódulo IGBTCon la tercera generación de trenchstop ™ IGBT、 Baja pérdida de conmutación y diodos de control del emisor - soluciones adecuadas para aplicaciones de tracción e industriales

Modelo de módulo IGBT 3300v:

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
Módulo IGBT fz1000r33hl3
Módulo IGBT fz1000r33he3
Módulo IGBT fz1200r33he3
Módulo IGBT fz1500r33he3
Módulo IGBT fz1500r33hl3
Módulo IGBT fz1600r33he4
Módulo IGBT fz1400r33he4
Módulo IGBT fz2400r33he4
Módulo IGBT ff450r33t3e3
Módulo IGBT fz825r33he4d

Descripción de las características

Especificaciones del producto:

Tipo igbt: Corte de campo de ranura

Configuración: medio puente

Voltaje - ruptura del emisor de colección: 1700 V

Corriente - coleccionista (ic): 2400 a

Corriente - Corte del coleccionista: 100 micras a

Condensadores de entrada (cies) a diferentes vce: 122 NF @ 25 V

Entrada: estándar

Resistencia térmica ntc: ninguna

Temperatura de funcionamiento: - 40 ° C a 175 ° c (tj)

Tipo de instalación: instalación de base

Encapsulamiento / carcasa: módulo

Embalaje del dispositivo del proveedor: AG - 62mm

Características del producto:

Alta densidad de potencia

Vce, SAT

Tvj op = sobrecarga a 175 ° C

Distancia de escalada alta y brecha eléctrica

Cumplir con los estándares RoHS

Aislamiento de 4 kV AC de 1 minuto

Encapsulamiento de CTI > 400

Certificación ul / CSA a través de ul1557 e83336

TRENCHSTOP ™ Chip igbt7

Mejorado EconoDUAL ™ 3 Encapsulamiento

225, 750 y 900 A，1700V Módulo de medio puente

Diodos, 750 A IGBT Con 1.200 A Diodos (solo FF750R17ME7D_B11）

La temperatura de Unión de trabajo puede alcanzar los 175 ° En caso de sobrecarga. C

Pin de control de presión

Módulo IGBT Infineon fz2400r17kf4

Ventajas:

Encapsulamiento existente con alta capacidad de corriente, que permite aumentar la Potencia de salida del inversor con el mismo tamaño de marco

Alta densidad de potencia

Evitar la conexión paralela de módulos IGBT

Reducir el costo del sistema simplificando el sistema de inversores

Flexibilidad

Alta fiabilidad

Áreas de aplicación de productos:

Fuente de alimentación ininterrumpida (ups)

Sistema de almacenamiento de energía

Control y accionamiento del motor

Vehículos comerciales, de construcción y agrícolas (cav)

Variador de frecuencia

Beijing Jingcheng Hongtai Technology co., Ltd. es un proveedor de cadena industrial que integra canales, distribución, distribución, venta directa y modelos OEM para la venta de semiconductores electrónicos de potencia y soluciones de la industria electrónica de potencia.

Vender dispositivos semiconductores electrónicos de potencia de marca nacional y extranjera, inversores, accesorios de inversores, condensadores electroliticos de aluminio y módulos de potencia; Distribuye principalmente Infineon Infineon de alemania, eupec youpaik,

Siemens siemens, Simeon semikron, ixys esses, aeg, vishuy, Danfoss danfoss, Tyco Tyco tyco, DYNEX danix, Vacon weiken, Mitsubishi mitsubishi,

Fuji fuji, Fairchild feizhao semiconductor, Toshiba toshiba, Hitachi hitachi, sanrex sanshe, sanken sanken, POWEREX, Inda niec, American ir, Swiss abb, powersem, nell neal; Yaskawa yaskawa;

Igbt, igct, ipm, pim, tirón de silicio controlado, gto, GTR darlington, puente de rectificación, diodos, módulos de efecto de campo producidos por empresas como cima, Reino Unido y catelec, españa; Fuji, japón,

Salida de Japón (hinode), roland, Francia (ferraz), gould, Reino unido, fusibles rápidos bussmann, Estados unidos; KEMET， Arcotronics (av), italia,

Itelcond, Facon italia, ekekeki electronicon alemania, Thomson TPC francia, Hitachi japón, Black King Kong Nippon Chemi - con, Nikon nichicon;

Ruby, EPCOS eps, Suecia Rifa power, British bhc, BHC aerovox electrolytic capacitor y American CDE non - sensitive capacitor; Swiss Connect IGBT drive, optoacoplador, inverter Master control board, Drive board, Power board, Communication board, Interface Board

Panel de operación

Módulo IGBT Infineon fz1600r12kf4 - s1

¿¿ qué es igbt?

Igbt, es decir, un transistor bipolar de puerta aislada, es un dispositivo Semiconductor de potencia impulsado por voltaje totalmente controlado compuesto compuesto por BJT (tripolar bipolar) y mos (tubo de efecto de campo de puerta aislada), que tiene las ventajas de la alta resistencia de entrada de MOSFET y la baja caída de tensión de conducción de gtr. La presión saturada de GTR se reduce y la densidad de carga de corriente es alta, pero la corriente de conducción es alta; La Potencia de conducción del MOSFET es muy pequeña, la velocidad del interruptor es rápida, pero la caída de presión de conducción es grande y la densidad de carga de corriente es pequeña. El IGBT combina las ventajas de los dos dispositivos anteriores, con poca potencia de conducción y baja presión saturada. Es muy adecuado para sistemas de conversión de corriente continua de 600v o más, como motores de ca, inversores, fuentes de alimentación de conmutación, circuitos de iluminación, transmisión de tracción y otros campos.

Comparación entre IGBT y MOSFET

El nombre completo de MOSFET es Transistor de efecto de campo de potencia. Sus tres polos son la fuente (s), el drenaje (d) y la puerta (g).

Ventajas: buena estabilidad térmica y gran área de trabajo segura.

Desventaja: bajo voltaje de ruptura y pequeña corriente de trabajo.Beijing Jingcheng Hongtai Technology co., Ltd. módulo IGBT fz2400r17kf4

El nombre completo de IGBT es bipolar de puerta aislada, que es el producto de una combinación de MOSFET y GTR (tubo de potencia). Sus tres polos son el coleccionista (c), el emisor (e) y la puerta (g).

Características: el voltaje de ruptura puede alcanzar los 1200v, y la corriente saturada del coleccionista ha superado los 1500a. el inversor con IGBT como dispositivo inversor tiene una capacidad de más de 250 kVA y una frecuencia de trabajo de hasta 20 khz.

Aplicaciones típicas de IGBT

Motor eléctrico

Fuente de alimentación ininterrumpida

Instalación de paneles solares

Soldador eléctrico

Convertidor de potencia y inversor

Cargador de inducción

placa de inducción

Modelos IGBT de séptima generación:

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7